ICS27.120.99 F 81 备案号：29117-2010 NB 中华人民共和国能源行业标准 NB/T20019—2010 代替EJ/T504-1990 核电厂安全级仪表和控制设备电子元器件 老化筛选和降额使用规定 Ageing, screening, and derating rules of electronic elements and devices in safety class instrument and control equipment of nuclear power plants 2010-05-01发布 2010-10-01实施 发布 国家能源局 NB/T20019—2010 目 次 前言 1范围、 2规范性引用文件 3术语和定义， 老化筛选顺序和项目 3 5老化筛选条件和方法 3 5. 1 老化筛选前提条件 5.2 外观检查 5.3 高温贮存 5. 4 温度循环. 5.5 功率老炼. 5.6 高温反偏 5.7 测试 5.8 标识 5 6 老化筛选合格性准则 元器件降额使用规定 7 7.1 概述 7. 2 二极管 7.3 晶体管 7. 4 光电器件 7. 5 品闸管 7. 6 模拟集成电路 7.7 数字集成电路 7. 8 电阻. 7. 9 电位器， 7. 10 电容器 参考文献 11 I NB/T20019—2010 前言 本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。 本标准代替EJ/T504-1990《三十万千瓦压水堆核电厂 安全级电子元器件老化筛选和降额适用规 定》，与EJ/T504-1990相比，主要技术变化如下： 一修改了适用范围； -增加了规范性使用文件； 增加了术语和定义； 一明确了电子元器件老化筛选顺序； -增加了在老化筛选试验前后对元器件进行外观检查的要求； 增加了老化筛选合格性准则； 一增加了晶体管、光电器件、模拟集成电路、数字集成电路、电位器、电容器的降额使用规定。 本标准由中国核工业集团公司提出。 本标准由核工业标准化研究所归口。 本标准起草单位：上海核工程研究设计院，中科华核电技术研究院有限公司北京分院。 本标准主要起草人：李美儒、曹梅新、邱建文、马象睿、耿文行。 II NB/T20019—2010 核电厂安全级仪表和控制设备电子元器件老化筛选和降额使用规定 1范围 本标准规定了对核电厂安全级仪表和控制设备中电子元器件进行老化筛选和降额使用时的技术要 求。 本标准适用于核电厂安全级仪表和控制设备的电子元器件老化筛选及降额使用，也可供其它安全级 电气设备的电子元器件老化筛选及降额使用时参照或参考使用。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T2423.2-2001电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B：高温 GB/T2423.22-2002电工电子产品环境试验第22部分：试验方法试验N：温度变化 GJB63B-2001有可靠性指标的固体电解质钼固定电容器总规范 GJB128A-1997半导体分立器件试验方法 GJB360A-1996 6电子及电气元件试验方法 GJB548A-1996 6微电子器件试验方法和程序 GJB 733A-1996 6有可靠性指标的非固体电解质钽固定电容器总规范 GJB 972A-2002 有和无可靠性指标的塑料膜介质交直流固定电容器通用规范 GJB/Z35-1993 3元器件降额准则 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 3. 1 半导体器件semiconductordevice 其基本特性是由在半导体中的载流子流动所决定的器件。 3. 2 半导体分立器件semiconductordiscretedevice 被规定完成某种基本功能，并且其本身在功能上不能再细分的半导体器件。 3. 3 膜film 用任何淀积工艺在固体基片上形成的固体层。 3. 4 1 NB/T20019—2010 集成电路integratedcircuit 将若干电路元件不可分割地连在一起，并且在电气上互连，以致就规范、试验、贸易和维修而言， 被视为不可分割的一种电路。 3. 5 半导体集成电路semiconductorintegratedcircuit 在半导体内部和上面形成元件并互连的集成电路。 3. 6 膜集成电路filmintegratedircuit 元件和互连均以膜形式在绝缘基片表面上形成的集成电路 3. 7 混合集成电路hybrid integratedcircuit 由半导体集成电路与膜集成电路的任意组合，或由任何这些电路同分立元件的任意组合形成的集成 电路。 3. 8 光电器件photolectricdevic 具有光电转换功能的器件。 3.9 老化筛选ageinand screening 将机械应力、电应力、光应力和热应力分别或同时施加到元器件上，以鉴别和剔除元器件潜在的或 始发性缺陷的一种工艺或方法 3.10 试验test 一项完整的环境试验操作程序，通常包括： a) 预处理（必要时）； 初始检测（必要时）； c) 条件试验； 恢复； e) 最后检测。 在条件试验和（或）恢复期间可能要求中间检测。 3.11 预处理pre-conditioning 为消除或部分抵消试验样品以前经历的各种效应，在条件试验前对试验样品所做的处理。 3. 12 恢复recovery 在条件试验之后，最后检测之前为使试验样品的性能稳定所做的处理。 2 NB/T20019—2010 3.13 降额derating 元器件使用中承受的应力低于其额定值，以达到延缓其参数退化，提高使用可靠性的自的。通常用 应力比和环境温度来表示。 3. 14 应力比stressratio 元器件工作应力与额定应力之比。应力比又称降额因子。 4老化筛选顺序和项目 对仪表和控制设备用电子元器件进行老化筛选的目的是为了在设备制造前暴露和发现在早期运行 时出现的潜在的电子元器件缺陷，剔除有缺陷的元器件，以保证设备的质量。 对电子元器件的一般老化筛选顺序是： a）外观检查； b) 常温测试； c) 高温贮存； d) 温度循环； e) 常温测试； f) 功率老炼； g) 常温测试； h) 高温反偏； i) 外观检查； j) 最终测试； k) 打印标记。 对不同元器件的具体老化筛选项目，见表1。 5老化筛选条件和方法 5.1老化筛选前提条件 对元器件进行老化筛选的前提条件是： 元器件具有产品合格证书或相应的技术资料： -对元器件进行检查和测试，其参数符合产品规范要求。 5.2外观检查 5.2.1概述 在对元器件进行老化筛选试验前和试验后应进行外观检查。 在对元器件进行外观初查或外观复查时，用目视或用适度的放大镜对元器件进行外观检查。 5.2.2 2半导体分立器件 对半导体分立器件应检查： 3