(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211116711.6 (22)申请日 2022.09.14 (71)申请人 南京诚芯集成电路技 术研究院有限 公司 地址 210000 江苏省南京市浦口区江浦街 道浦滨路320号科创一 号大厦B座21楼 (72)发明人 张利斌　韦亚一　 (74)专利代理 机构 南京苏博知识产权代理事务 所(普通合伙) 3241 1 专利代理师 章雅琴 (51)Int.Cl. G03F 7/20(2006.01) G06F 30/20(2020.01) (54)发明名称 一种高精度套刻补偿方法 (57)摘要 本发明涉及半导体光刻技术领域， 具体涉及 一种高精度套刻补偿方法， 包括， 使用泽尼克多 项式对晶圆进行全局套刻误差计算， 得到逐场补 偿模型参数； 基于逐场补偿模型参数使用补偿公 式进行计算， 得到实际晶圆套刻补偿参数； 对实 际晶圆套刻补偿参数和实际晶圆逐场补偿模型 参数进行对比， 得到对比结果。 对对比结果进行 判断， 若对比结果在预设范围内， 则应用至生产 工艺中进行补偿， 若对比结果不在预设范围内， 则探索和诊断问题， 通过使用泽尼克多项式模 型， 以及参考晶圆的逐场补偿模型， 实现对任意 批次、 任意机台的晶圆套刻误差的快速补偿， 从 而解决了现有的补偿方法效率较低的问题。 权利要求书1页 说明书4页 附图7页 CN 115407618 A 2022.11.29 CN 115407618 A 1.一种高精度套刻 补偿方法， 其特 征在于， 包括以下步骤： 使用泽尼克多 项式对晶圆进行全局套刻误差计算， 得到逐场补偿模型参数； 基于所述逐场补偿模型参数使用补偿公式进行计算， 得到实际晶圆套刻 补偿参数； 对所述实际晶圆套刻补偿参数和实际晶圆逐场补偿模型参数进行对比， 得到对比结 果； 对所述对比结果进行判断， 若所述对比结果在预设范围内， 则将所述实 际晶圆套刻补 偿参数应用至生产工艺中进行补偿。 2.如权利要求1所述的一种高精度套刻 补偿方法， 其特 征在于， 所述晶圆包括 参考晶圆和实际晶圆。 3.如权利要求2所述的一种高精度套刻 补偿方法， 其特 征在于， 所述使用泽尼克多项式对晶圆进行全局套刻误差计算， 得到逐场补偿模型参数的具体 方式为： 使用泽尼克多项式对参考晶圆与实际晶圆进行计算， 得到参考晶圆泽尼克模型差和实 际晶圆泽尼克模型差； 基于所述参考晶圆泽尼克模型差和所述实际晶圆泽尼克模型差进行计算， 得到逐场补 偿模型参数。 4.如权利要求3所述的一种高精度套刻 补偿方法， 其特 征在于， 所述基于所述逐场补偿模型参数使用补偿 公式进行计算， 得到实际晶圆套刻补偿参数 的具体方式为： 使用所述逐场补偿模型对所述 参考晶圆进行计算， 得到参 考晶圆逐场补偿模型参数； 使用补偿 公式对所述参考晶圆逐场补偿模型参数和所述逐场补偿模型参数进行计算， 得到实际晶圆套刻 补偿参数。 5.如权利要求 4所述的一种高精度套刻 补偿方法， 其特 征在于， 所述对所述实际晶圆套刻补偿参数和实际晶圆逐场补偿模型参数进行对比， 得到对比 结果的具体方式为： 使用所述逐场补偿模型对所述实际晶圆进行计算， 得到实际晶圆逐场补偿模型参数； 对所述实际晶圆套刻补偿参数和实际晶圆逐场补偿模型参数进行对比， 得到对比结 果。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115407618 A 2一种高精度套刻补偿方 法 技术领域 [0001]本发明涉及半导体光刻技 术领域， 尤其涉及一种高精度套刻 补偿方法。 背景技术 [0002]套刻精度是指在光刻制造工艺中当层图形和前层图形的叠对位置精度。 由于集成 电路芯片的制 造是通过多层电路层叠加而成， 如果当层和前层没有对准的话， 芯片将无法 正常工作， 因此， 在形成当层的过程中， 减小套刻精度、 确保套刻精度在偏差范围内是极为 重要的一件 事情。 [0003]一般都是在前一批次的晶圆中获取待测晶圆； 对待测晶圆进行套刻精度检测， 获 取前一批次套刻精度信息； 根据前一批次套刻精度信息， 获取套刻偏 差模型； 根据套刻偏差 模型， 对当前批次的 晶圆进行套刻偏差补偿。 [0004]采用上述方式， 当前批次的晶圆的套刻精度仍然较差， 从而导致套刻偏差补偿的 效率降低。 发明内容 [0005]本发明的目的在于提供一种高精度套刻补偿方法， 旨在 解决现有的补偿 方法效率 较低的问题。 [0006]为实现上述目的， 本发明提供了一种高精度套刻 补偿方法， 包括以下步骤： [0007]使用泽尼克多 项式对晶圆进行全局套刻误差计算， 得到逐场补偿模型参数； [0008]基于所述逐场补偿模型参数使用补偿公式进行计算， 得到实际晶圆套刻补偿参 数； [0009]对所述实际晶圆套刻补偿参数和实际晶圆逐场补偿模型参数进行对比， 得到对比 结果； [0010]对所述对比结果进行判断， 若所述对比结果在预设范围内， 则应用至生产工艺中 进行补偿。 [0011]其中， 所述晶圆包括 参考晶圆和实际晶圆。 [0012]其中， 所述使用泽尼 克多项式对晶圆进行全局套刻误差计算， 得到逐场补偿模型 参数的具体方式为： [0013]使用泽尼克多项式对参考晶圆与实际晶圆进行计算， 得到参考晶圆泽尼克模型差 和实际晶圆泽尼克模型差； [0014]基于所述参考晶圆泽尼克模型差和所述实际晶圆泽尼克模型差进行计算， 得到逐 场补偿模型参数。 [0015]其中， 所述基于所述逐场补偿模型参数使用补偿公式进行计算， 得到实际晶圆套 刻补偿参数的具体方式为： [0016]使用所述逐场补偿模型对所述参考晶圆进行计算， 得到参考晶圆逐场补偿模型参 数；说　明　书 1/4 页 3 CN 115407618 A 3