(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211438853.4 (22)申请日 2022.11.17 (71)申请人 杭州思拓瑞吉科技有限公司 地址 310000 浙江省杭州市拱 墅区新文路 33号3幢(2号楼)108室 (72)发明人 石顺风　季虎　马义飞　马威　 高镇军　 (74)专利代理 机构 北京中秩新创知识产权代理 有限公司 16124 专利代理师 褚战星 (51)Int.Cl. H02M 1/00(2007.01) H05K 7/20(2006.01) H05K 7/02(2006.01) (54)发明名称 一种功率器件及其制造方法 (57)摘要 本发明提供一种功率器件， 包括： IGBT模块， 与IGBT模块对应的吸收电容， 散 热器， 导风组件， 直流支撑电容及风量调整组件； 直流支撑电容位 于导风组件上部； 散热器位于IGBT模块背部； 散 热器夹于风量调整组件及导风组件中间； 导风组 件第一端为封闭结构， 导风组件第二端为风道出 口； 风量调整组件、 散热器、 导风组件构成倒L型 风向流通风道； 风量调整组件包括孔密度不同的 若干区域， 及将散热器分割成若干区域的分割结 构； 风量调整组件与导风组件第一端同侧区域的 孔密度高于风量调整组件与导风组件第二端同 侧区域的孔密度。 本发明解决了功率模块的散热 问题， 同时实现了功率模块电流均流特性好、 散 热均匀性好、 结构紧凑、 符合常规功率模块设计 且成本较低。 权利要求书2页 说明书6页 附图9页 CN 115514193 A 2022.12.23 CN 115514193 A 1.一种功率器件， 其特 征在于， 包括： 并联设置的至少两个IGBT模块， 与至少两个所述IGBT模块对应的吸收电容， 散热器， 导 风组件， 直 流支撑电容及风 量调整组件； 所述直流支撑电容位于所述导风组件上部； 所述散热器位于至少两个所述IGBT模块背 部； 所述散热器夹于所述风量调整组件及所述导风组件中间； 所述导风组件第一端为封闭 结构， 所述导风组件第二端为风道出 口； 所述风量调整组件、 所述散热器、 所述导风组件构 成倒L型风向流 通风道； 所述风量调 整组件包括孔密度不同的若干区域， 及将所述散热器分割成若干区域的分 割结构； 所述风量调整组件与所述导风组件第一端同侧区域的孔密度高于所述风量调整组 件与所述 导风组件第二端同侧区域的孔密度。 2.根据权利要求1所述的一种功率器件， 其特征在于， 所述风量调整组件的孔密度不同 的若干区域及所述风量调整组件的分割结构将所述散热器分割成的若干区域， 形成对的至 少两个IGBT模块散热的若干风速相近的风道。 3.根据权利要求1所述的一种功率器件， 其特征在于， 所述功率器件还包括： 叠层母排； 所述叠层母排一端与所述直流支撑电容连接， 另一端与至少两个所述IGBT模块连接； 所述 吸收电容一端与所述 IGBT模块的输入端连接， 另一端与所述叠层母排的接线 端连接。 4.根据权利要求1所述的一种功率器件， 其特征在于， 所述功率器件还包括： 交流输入 铜排， 所述交流输入铜排与至少两个所述IGBT模块的交流输入端连接， 将至少两个所述 IGBT模块并联后输出。 5.根据权利要求1所述的一种功率器件， 其特征在于， 所述功率器件还包括： 金属框架， 所述金属框架与所述 直流支撑电容、 所述散热器、 导 风机构及所述 风量调整组件直接连接 。 6.根据权利要求1所述的一种功率器件， 其特征在于， 所述功率器件还包括： IGBT驱动 适配板， 所述 IGBT驱动适配板与靠 近所述导风组件第二端的IGBT连接 。 7.根据权利要求6所述的一种功率器件， 其特征在于， 所述功率器件还包括： IGBT驱动 板， 所述IGBT驱动板与所述IGBT驱动适配板连接， 所述IGBT驱动板位于靠近所述导风组件 第二端的两个IGBT面部 。 8.一种功率器件的制造方法， 其特征在于， 用于制造如权利要求1 ‑7任一所述的功率器 件， 包括： 根据IGBT模块功耗， 仿真无风量调整组件 的情况下IGBT模块的温度仿真， 获得无风量 调整组件的情况 下IGBT模块的温差数据； 基于温差数据确定风 量调整组件若干区域的孔密度及孔分布； 仿真计算风量调整组件若干区域的孔密度及孔分布的风压数据， 若风压数据超过阈 值， 则调整 若干区域的孔密度及孔分布； 基于孔密度及孔分布加工风 量调整组件； 将所述风量调整组件连接至所述散热器的进风口， 导风机构连接至所述散热器的出风 口； 所述风量调整组件、 所述散热器、 所述 导风机构构成若干条流速相近的风道； 将所述直流支撑电容、 所述散热器、 所述导风机构及所述风量调整组件安装至金属框 架上； 将至少两个所述 IGBT模块均匀布置安装至所述散热器。权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115514193 A 29.根据权利要求8所述的功率器件的制造方法， 其特征在于， 所述基于温差数据确定风 量调整组件若干区域的孔密度及孔分布的方法为： 根据温差确定风量调整组件最低孔密度 及最高孔密度的差值， 靠近导风组件第二端的孔密度变化差异大于靠近导风组件第一端的 孔密度变化差异。 10.根据权利要求8所述的功率器件的制造方法， 其特征在于， 将所述IGBT驱动适配板 连接至靠近所述导风组件第二端的IGBT， 所述IGB T驱动适配板与所述IGBT驱动板采用导线 连接； 所述IGBT模块的直流输入端连接所述直流支撑电容， 所述IGBT模块的交流输出端连 接所述交流输出铜排连接所述， 并联后输出。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115514193 A 3